
AI芯片的性能极限往往受限于其背后的数据吞吐能力。因此,存储芯片不仅是“数据仓库”,更是决定AI系统响应速度与可扩展性的核心要素。当前,全球科技巨头纷纷加大在存储与计算协同设计上的投入,构建面向未来的AI芯片生态系统。
早期的NAND Flash采用平面结构,但受限于物理尺寸,已难满足高密度需求。如今,3D NAND技术通过垂直堆叠多层单元,实现了容量翻倍与成本下降。这种进步为大规模模型部署提供了坚实的硬件基础。
HBM通过堆叠式封装与并行接口设计,提供远超传统GDDR的带宽。在诸如AMD MI300、NVIDIA H100等主流AI加速器中,HBM已成为标配。其高达每秒数千GB的传输速率,有效缓解了计算单元与内存之间的数据瓶颈。
传统架构中,计算与存储分离导致频繁的数据搬运,造成巨大能耗。存算一体(PIM, Processing-in-Memory)技术将计算单元嵌入存储阵列中,使数据在本地完成运算,大幅减少数据移动。该技术已在忆阻器(Memristor)、SRAM-based PIM等领域取得突破性进展。
面对国际供应链波动,中国正加速推进存储芯片与AI芯片的自主化研发。长江存储、长鑫存储等企业在3D NAND与DRAM领域持续突破,而华为、寒武纪等企业也在开发基于国产存储方案的AI芯片,推动全产业链安全可控。
存储芯片与AI芯片存储:技术革新驱动智能时代发展随着人工智能、大数据和物联网的迅猛发展,存储芯片与AI芯片存储已成为支撑现代数...